昆山smt    美史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究人員們在日前舉辦的2014年際電子元件會議(IEDM)上展示了真正的 3D 晶片。大部份的 3D 晶片采用矽穿孔(TSV)的方式推疊不同的制造晶片，例如美光科技(Micron Technology)的混合記憶體立方體(HMC)推疊 DRAM 晶粒。

此外，總部設(shè)于美奧勒岡州的新創(chuàng)公司BeSang將其專有制程技術(shù)授權(quán)給南韓的海力士半導(dǎo)體(SK Hynix Inc.)，用于打造出無需透過 TSV 的真正 3D 技術(shù)。

然而，史丹佛大學(xué)所展示的是任何晶圓廠都能在標(biāo)準的互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)上堆疊任何層數(shù)的邏輯與記憶體。在IEDM上，史丹佛大學(xué)在 CMOS 晶片上堆疊了2層的金屬氧化物電阻型隨機存取記憶體(PRAM)，以及1層利用碳奈米管(CNT)作為電晶體通道的邏輯電路。

史丹佛大學(xué)展示的3D晶片以標(biāo)準過孔方式連接4層電路，底層是標(biāo)準CMOS，上層是碳奈米管邏輯電晶體，中間夾著2層RRAM。
 

“對于使用傳統(tǒng)的跨層過孔而言， TSV 技術(shù)至關(guān)重要，但關(guān)鍵在于如果你想達到無法以 TSV 實現(xiàn)的極高能源密度效率之時，”史丹佛大學(xué)電子工程系教授Subhasish Mitra表示，“然而，我們能夠利用傳統(tǒng)過孔分別在各層之上順利地打造這些電路層，顯示我們的方法是可行的。”

史丹佛大學(xué)所采用的方法是在底層制造一種標(biāo)準 CMOS 邏輯晶片，然后以二氧化矽絕緣體加以覆蓋，并且利用氬氣濺鍍蝕刻的方式使其平面化。在二層的 RRAM 是由氮化鈦、氧化鉿(作為主動交換層)和鉑組成，然后在 CMOS 層上以200℃的溫度利用傳統(tǒng) TSV進行制造(以免損壞 CMOS )，以實現(xiàn)互連。

然后，在經(jīng)過 PRAM 以及另一層絕緣二氧化矽沈積后，另一層絕緣二氧化矽則沈積于 RRAM 之上并實現(xiàn)平面化。上層則先以碳奈米管進行同向覆蓋，利用剝離(lift-off)方式形成石英晶片。為了實現(xiàn)足夠的密度，研究人員們進行13次的碳奈米管轉(zhuǎn)換方式。然后再用傳統(tǒng)的內(nèi)層過孔(ILV)與微影技術(shù)，將碳奈米管制造于邏輯層上的電晶體通道中。

“我們可以利用這種技術(shù)制造出任意層數(shù)，”史丹佛大學(xué)教授H.S. Philip Wong說：“我們使用相當(dāng)寬松的設(shè)計規(guī)則在學(xué)校的晶圓廠中制造這些電路層，但在其他的展示中則已證明我們的制程能一直微縮到現(xiàn)有采用過孔技術(shù)的20nm商用級。”

標(biāo)準的平面型CMOS晶片(圖左)透過TSV分別堆疊邏輯元件與記憶體于不同的結(jié)構(gòu)；史丹佛大學(xué)的工程師為采用標(biāo)準TSV的CMOS晶片上3層結(jié)構(gòu)進行低溫制程，以實現(xiàn)更高密度。
 

史丹佛大學(xué)的研究人員們還積極地展示在平面二氧化矽表面的碳奈米管性能，這是在平行碳奈米管上層利用標(biāo)準圖形化技術(shù)，在場效電晶體(FET)中形成每通道約50個奈米管。研究人員們認為，這種碳奈米管電晶體由于具備較矽晶更高10倍的能效，因而可望在未來取代矽晶電晶體技術(shù)。

“我們想表達的是你可以先以標(biāo)準矽晶 CMOS 作為底層，仍然能夠打造出 3D 晶片，但在未來，我們希望人們轉(zhuǎn)換成利用碳奈米管電晶體，因為他們的性能可進一步擴展到超越矽晶，這就是為什么我們展示真正的碳奈米管電路，而不只是堆疊上的一個測試電晶體。”

研究團隊們強調(diào)，必須確保這種碳奈米層在溫度夠低的情況下制造，才不至于損壞 PRAM ，而在足夠的低溫下制造 PRAM ，才不會損壞到底層的 CMOS 晶片。數(shù)以千計的過孔實現(xiàn)各層的互連，才能使得這種碳奈米管場效電晶體(CNTFET)成為 PRAM 的理想選擇。